王 迅
发布时间: 2013-08-22     文章作者:     访问次数: 5966

 

 

 

王 迅

 

教授

1960年复旦大学研究生毕业

电话: +86-21-65648996

Email :xunwang@fudan.edu.cn

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主要经历:
历任复旦大学半导体物理教研室副主任,表面物理研究室主任,应用表面物理国家重点实验室主任,复旦大学学术委员会副主任,复旦大学研究生教育指导委员会主任等职。2001年入选中科院院士。

曾获国家自然科学二等奖1项,上海市科技进步一等奖2项与三等奖1项,国家教委科技进步二等奖4项与三等奖3项,1996年光华科技基金二等奖,1997年中国物理学会第五届叶企孙物理奖,1998年何梁何利科学技术进步奖。

 

教学与研究领域:
教学:主讲过热力学与统计物理,固体物理,半导体物理,晶体管原理,MOS集成电路,表面物理,大学物理等多门课程。

研究领域:表面物理、半导体物理、半导体表面与界面的结构和电子态研究,硅基低维量子体系和光电子物理等。

在国际SCI刊物上发表论文170余篇,他引1200余次。在国际学术会议上作邀请报告21次,曾十余次担任过国际学术会议的程序委员会、顾问委员会、组织委员会委员或分组会主席。

 

Xun Wang

 

Professor

Member of Chinese Academy Science

Graduate study1960 Fudan University

 

Research Interests:
Surface Physics, Semiconductor Physics

 

Selected Publications:
1)Dangling bond electronic state on InP(111) surface, Xiaoyuan Hou, Guosheng Dong, Xunmin Ding, and Xun Wang, Surface Sci. 183, 123 (1987). 

2)A missing row-dimer model of InP(100)(4X2) reconstruction as proposed by LEED, UPS and HREELS studies. Xiaoyuan Hou, Guosheng Dong, Xunmin Ding, and Xun Wang, J. Phys. C: Solid State Phys. 20, L121 (1987). 

3)Structural model of Si(100)-c(4X4).       Hongchuan Wang, Rongfu Lin, and Xun Wang ,Phys. Rev. B36, 7712 (1987).

4)Electrochemical sulfur pasivation of GaAs. X.Y.Hou, W.Z.Cai, Z.Q.He, P.H.Hao, Z.S.Li, X.M.Ding, and Xun Wang Appl. Phys. Lett. 60, 2252 (1992).  

5)Efficient infrared-upconversion in porous silicon: a quantum-confinement induced effect. J.Wang, H.B.Jiang, W.C.Wang, J.B.Zheng, F.L.Zhang, P.H.Hao, X.Y.Hou, and X.Wang Phys. Rev. Lett. 69, 3252 (1992).   

6)Pinning of photoluminescence peak positions for light-emitting porous silicon: an evidence of quantum size effect. Xun Wang, D.M.Huang, L.Ye, M.Yang, P.H.Hao, H.X.Fu, X.Y.Hou, and X.D.Xie  Phys. Rev. Lett. 71, 1265 (1993).

7)Coulomb charging effect in Ge quantum dots studied by admittance spectroscopy S.K.Zhang, H.J.Zhu, F.Lu, Z.M.Jiang, and Xun Wang Phys. Rev. Lett. 80, 3340 (1998).


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