陆 昉
发布时间: 2013-08-21     文章作者:     访问次数: 4593

 

 

 

 

1995年复旦大学博士

电话:+86-21-65642356

Emailfanglu@fudan.edu.cn

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主要经历:
1979年毕业于复旦大学物理系,1982年研究生毕业于物理系微电子专业并获硕士学位,同年留校任教至今。1995年获复旦大学凝聚态物理专业理学博士学位。1999年晋升为教授。1986-1988年在美国纽约州立大学奥尔巴尼分校做访问学者,1996-1998年在日本东北大学金属材料研究所从事科研工作。曾任复旦大学物理系系主任、教务处处长、校长助理。20104月起任复旦大学副校长。

上海市物理学会副理事长,教育部学科发展与专业设置专家委员会成员, 全国高等教育质量监控与评估机构协作会常务理事。获上海市第八届十大科技精英,上海市劳动模范(2007年),全国五一劳动奖章(2007年)。

 

教学与研究领域:
长期承担《半导体物理》专业基础课的主讲任务。主要研究领域为半导体物理,具体研究方向为半导体材料中的深能级缺陷以及半导体异质结、量子阱、超晶格结构等低维半导体材料的物理特性等。在SCI收录的国际期刊上发表论文100多篇。曾获上海市科技进步一等奖以及国家自然科学进步二等奖。

 

Fang Lu

 

Professor

Ph.D.(1995)Fudan University

 

Research Interests:
Deep levels in Semiconductor, electric properties low dimensional quantum structures, semiconductor solar cell.

 

Selected Publications:
1)Electrically Active Defects in N-type Silicon induced by Rapid Thermal Annealing, F. Lu, F. Lu and HH. Sun Semicond. Sci. and Technol. 7 (1992) 916

2)Quantum Confinement of holes in SiGe/Si quantum wells studied by admittance spectroscopy, F. Lu, JY. Jiang, HH Sun, DW. Gong, XJ. Zhang , X. Wang Phys. Rev. B 51 (1995) 4231

3)Acceptor- and donor-like interfacial states at ZnSe/GaAs heterovalent interfaces, Fang Lu, Z.Q. Zhu, K. Kimura, T. Yao,Applied Surface Science 190 (2002) 302

4)Admittance spectroscopy of GeSi-based quantum dot systems: Experiment and theory,Xi Li,W.Xu,Shihai Cao, Qijia Cai, and Fang Lu, Phys. Rev. B 76 (2007) 245304

5)A study of interface characteristics in HfAlO/ p-Si by deep level transient spectroscopy, Ning Zhan,Min Xu,David Wei Zhang,Fang Lu, Applied Surface Science 254 (2008) 7512–7515

6)Detection of Shallow Level in Semiconductor by Admittance Spectroscopy, Hao Yuan, Hongyun Zhang, and Fang Lu,Semicond. Sci. Technol. 24 (2009) 85007,

7)Impedance spectroscopy characterization of proton-irradiated GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells, Xi Zhang, Jianmin Hu, YiyongWu and Fang Lu, Semicond. Sci. Technol. 25 (2010) 035007

 


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