侯晓远
发布时间: 2013-09-13     文章作者:     访问次数: 7742

 

 

 

侯晓远

 

教授

1987年复旦大学博士

电话:+86-21-65103617

Emailxyhou@fudan.edu.cn

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主要经历:
19873月复旦大学物理系获理学博士,毕业后留校任教至今,1993年晋升为教授、博士生导师。

1988年、1993年两次获德国洪堡研究奖学金作为访问学者赴德国杜依斯堡大学固体物理实验室进行合作研究。

19952000年度物理学报编委,中国物理快报第四届编委,中国物理学会表面物理专业委员会副主任。

1998-2005年任复旦大学应用表面物理国家重点实验室主任。

2000-2005年任教育部“长江学者”特聘教授。

1988年获第一届霍英东优秀青年奖;1991年被国务院授予“做出突出贡献的中国博士学位获得者”的荣誉称号;1994年获国家教委“跨世纪人才基金”;1995年“国家杰出青年科学基金”;1996年获求是科技基金会“杰出青年学者奖”。

 

教学与研究领域:
教学:承担《大学物理》基础课程的教学工作,授课内容包括《光学》、《力学和热学》和《电磁学》。

研究领域:从事有机、无极半导体表面与界面物理、硅基光电子物理、材料与器件实验研究,在III-V族半导体表面原子结构和电子结构;GaAs表面钝化;异质外延生长GaN;多孔硅发光研究;有机半导体中激子和载流子行为等方面取得了丰富的研究成果。

 

Xiaoyuan Hou

 

Professor

Ph.D.(1987), Fudan University

 

Research Interests:
Organic functional device, organic semiconductor/metal interface interaction

Selected Publications:
1)Conductance-dependent negative differential resistance in organic memory devicesYou, YT, Wang, ML, Xuxie, HN, Wu, B, Sun, ZY, Hou, XY, Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 233301.

2)Electron conductance of N,N '-bis-(1-naphthl)-diphenyl-1,1 '-biphenyl-4,4 '-diamine at low temperatures Gao, XD, He, Y, Zhang, ST, Yin, XR, Ding, BF, Ding, XM, Hou, XY, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 133306.

3) Mechanism of charge generation in p-type doped layer in the connection unit of tandem-type organic light-emitting devices,Gao XD, Zhou J, Xie ZT, Ding BF, Qian YC, Ding XM, Hou XY, Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 083304.

4) Dissociation of excitons in the C-60 film studied by transient photovoltage measurements,Sun XY, Ding BF, Song QL, Zheng XY, Ding XM, Hou XY, Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 063301.

5) Buffer-layer-induced barrier reduction: Role of tunneling in organic light-emitting devices,Zhang ST, Ding XM, Zhao JM, Shi HZ, He J, Xiong ZH, Ding HJ, Obbard EG, Zhan YQ, Huang W, Hou XY, Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 425.

 


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