我系安正华研究员课题组合作研究首次实现室温下热电子的非局域能量耗散过程显微成像
发布时间: 2018-04-01     文章作者:     访问次数: 1253

    随着微电子器件尺度按摩尔定律不断向纳米尺度减小、功耗密度不断增加,器件工作过程中的电子被驱动至远离平衡态,这些非平衡的热电子输运性质和能量弛豫过程极大地影响了器件所能达到的工作性能。全面认识甚至操控非平衡热电子行为对后摩尔时代的电子学器件发展具有重要的指导作用。然而非平衡输运热电子的实验检测具有极大的技术挑战。近日,复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室安正华研究员课题组与中科院上海技术物理所陆卫研究员团队等合作,采用了一种自主研发的、可以检测热电子散粒噪声的红外近场显微镜技术(简称:扫描噪声显微镜技术或SNoiM,参见图1),直接探测GaAs/AlGaAs单晶材料纳米输运沟道中非平衡态电子电流涨落引起的散粒噪声(shot noise),由此直接揭示热电子输运过程中的能量耗散空间分布信息。实验发现,散粒噪声引起的红外辐射具有表面倏逝波特性(evanescent wave)并能反映对应热电子的温度。随着器件偏压的逐步增加,热电子温度的分布由局域分布向非局域分布过渡并呈现明显的热电子速度过冲现象(图2)。

    SNoiM技术克服了传统热探测手段的低灵敏度、受限于检测晶格温度等缺点,除了可应用于上述电子学器件的热电子显微成像之外,还可以进一步拓展至更多金属/非金属/半金属等广泛的实验体系。

    上述成果已发表在2018329Science预印版(First release) DOI: 10.1126/science.aam9991,该工作第一单位为上海技术物理所,复旦大学为第二单位,物理系安正华研究员和上海技术物理所陆卫研究员为该论文通信作者。该项目得到自然科学基金委重大科学仪器研制项目的资助。

1. 应用扫描噪声显微镜(SNoiM)进行的超高频率(~21.3THz)噪声的纳尺度成像实验装置示意图。


2.噪声强度随偏置电压增大的演变(0.5--8V),结果显示大偏压下热电子的温度分布呈现明显的非局域特性。





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