王 迅
教授 1960年复旦大学研究生毕业 电话: +86-21-31244571 Email :xunwang@fudan.edu.cn 个人网站/Website:链接/Link
主要经历: 曾获国家自然科学二等奖1项,上海市科技进步一等奖2项与三等奖1项,国家教委科技进步二等奖4项与三等奖3项,1996年光华科技基金二等奖,1997年中国物理学会第五届叶企孙物理奖,1998年何梁何利科学技术进步奖。
教学与研究领域: 研究领域:表面物理、半导体物理、半导体表面与界面的结构和电子态研究,硅基低维量子体系和光电子物理等。 在国际SCI刊物上发表论文170余篇,他引1200余次。在国际学术会议上作邀请报告21次,曾十余次担任过国际学术会议的程序委员会、顾问委员会、组织委员会委员或分组会主席。 |
| Xun Wang
Professor Member of Chinese Academy Science Graduate study(1960) Fudan University
Research Interests:
Selected Publications: 2)A missing row-dimer model of InP(100)(4X2) reconstruction as proposed by LEED, UPS and HREELS studies. Xiaoyuan Hou, Guosheng Dong, Xunmin Ding, and Xun Wang, J. Phys. C: Solid State Phys. 20, L121 (1987). 3)Structural model of Si(100)-c(4X4). Hongchuan Wang, Rongfu Lin, and Xun Wang ,Phys. Rev. B36, 7712 (1987). 4)Electrochemical sulfur pasivation of GaAs. X.Y.Hou, W.Z.Cai, Z.Q.He, P.H.Hao, Z.S.Li, X.M.Ding, and Xun Wang Appl. Phys. Lett. 60, 2252 (1992). 5)Efficient infrared-upconversion in porous silicon: a quantum-confinement induced effect. J.Wang, H.B.Jiang, W.C.Wang, J.B.Zheng, F.L.Zhang, P.H.Hao, X.Y.Hou, and X.Wang Phys. Rev. Lett. 69, 3252 (1992). 6)Pinning of photoluminescence peak positions for light-emitting porous silicon: an evidence of quantum size effect. Xun Wang, D.M.Huang, L.Ye, M.Yang, P.H.Hao, H.X.Fu, X.Y.Hou, and X.D.Xie Phys. Rev. Lett. 71, 1265 (1993). 7)Coulomb charging effect in Ge quantum dots studied by admittance spectroscopy S.K.Zhang, H.J.Zhu, F.Lu, Z.M.Jiang, and Xun Wang Phys. Rev. Lett. 80, 3340 (1998). |